中國科技大學制備出高效穩定的鈣鈦礦單晶LED

近日，中國科學技術大學物理學院、中科院強耦合量子材料物理重點實驗室及合肥微尺度物質科學國家研究中心的肖正國教授研究組在制備高效穩定的鈣鈦礦單晶LED領域取得重要進展。該研究團隊利用空間限制法生長出高質量、大面積、超薄的鈣鈦礦單晶，并首次制備出亮度超過86,000 cd/m2，壽命高達12500 h的鈣鈦礦單晶LED，向鈣鈦礦LED應用于人類照明邁出了重要一步。相關成果以“ and - light- ”為題，于2月27號發表在《 》雜志上。

金屬鹵化物鈣鈦礦因其發光波長可調、發光半峰寬窄、可低溫制備等特性成為新一代LED顯示與照明材料。目前，基于多晶薄膜的鈣鈦礦LED（PeLED）的外量子效率（EQE）已經超過20%，可以媲美商用有機LED（OLED）。近年來，報道的絕大多數高效率鈣鈦礦LED器件的壽命在數百到數千小時不等，仍落后于OLED。離子移動，載流子注入不平衡，運行過程產生的焦耳熱等因素都會影響器件穩定性。此外，多晶鈣鈦礦器件中嚴重的俄歇復合也限制了器件的亮度。

針對以上問題，肖正國課題組利用空間限制法在襯底上原位生長鈣鈦礦單晶，通過調控生長條件，引入有機胺和聚合物，有效提升了晶體質量，從而制備出高質量的MA0.8FA0.薄單晶，最小厚度僅為1.5 μm，表面粗糙程度小于0.6 nm，內部熒光量子產率（）達到90%。以薄單晶作為發光層制備的鈣鈦礦單晶LED器件的EQE達到11.2%，亮度超過86,000 cd/m2，壽命高達12500 h，初步達到商業化門檻，成為目前穩定性最好的鈣鈦礦LED器件之一。以上工作充分展示了使用鈣鈦礦薄單晶作為發光層是解決穩定性問題的可行方案，以及鈣鈦礦單晶LED在人類照明和顯示領域的巨大前景。

圖示：空間限制法生長單晶示意圖（a），單晶的顯微鏡圖（b），鈣鈦礦單晶LED的器件結構（c），鈣鈦礦單晶LED性能表征（d-f）。